32 мкм 10G InGaAs фотодіод TO46

 

 

• Висока чутливість (більше або дорівнює 0,7 А/Вт): Забезпечує ефективне перетворення сигналу, зменшуючи енергоспоживання для-великомасштабного виробництва оптичних модулів-ідеально підходить для оптових покупців фотодіода InGaAs TO46, які зосереджені на енергоефективності.

• Низький темновий струм (менше або дорівнює 1 нА при 5 В): мінімізує шум сигналу, критично-для високоточних телекомунікаційних і датчиків. Ця перевага знижує рівень відмов при масовому розгортанні.

• Низька ємність (менше або дорівнює 0,25 пФ): Забезпечує стабільну пропускну здатність 10G, відповідаючи вимогам до швидкості модулів 10G SFP+ і мереж центрів обробки даних.

• Пакет для лазерного зварювання та TO-CAN: Підвищує механічну стабільність і термостійкість (робоча температура від -40 до 85 градусів), забезпечуючи тривалий термін служби (більше або дорівнює 50 000 годин) і знижуючи витрати на заміну для оптових покупців InGaAs Photodiode.

• Низькі зворотні втрати (більше або дорівнює 35 дБ): Зменшує відображення сигналу, покращуючи цілісність системи-, необхідну для проектів телекомунікаційної інфраструктури.

 

 

• Телекомунікаційні мережі: сумісний із системами SDH/SONET, підтримуючи високошвидкісний-прийом сигналу в-волоконно-оптичних з’єднаннях-ідеально для високих надійність 32 мкм InGaAs Фотодіод для телекомунікаційних закупівель.

• Оптичні модулі 10G SFP+: Використовується в трансиверах центрів обробки даних для перетворення оптичних сигналів в електричні з низькою ємністю (менше або дорівнює 0,25 пФ), що забезпечує мінімальну втрату сигналу.

• Волоконно-оптичний датчик: Ідеально підходить для промислових сенсорних систем (наприклад, лазерне вимірювання дальності, моніторинг температури) завдяки широкій робочій довжині хвилі (1100-1650 нм) і низькому темновому струму.

• Промислова автоматизація: Інтегровано в оптичне комунікаційне обладнання для автоматизації виробництва, де тривалий термін експлуатації (через лазерне зварювання) знижує витрати на технічне обслуговування для оптових покупців фотодіода InGaAs TO46.

 

Продаж одиниць	Один предмет
Один розмір упаковки	20X15X5 см (Гнучка упаковка, підходить для міжнародних перевезень)
Разова вага брутто	0,250 кг

Кількість (шт.)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Час виконання (днів)	14	20	30	Підлягає переговорам

Ми пропонуємо спеціальні рішення ODM для фотодіодів InGaAs відповідно до ваших конкретних вимог:

• Настроювані параметри: Діаметр світлочутливої ​​зони (32 мкм/50 мкм/75 мкм), тип упаковки (TO46/TO56), довжина проводу та конструкція лінзи.

• Цикл розвитку: 7-15 днів (спочатку зразок; масове виробництво починається після затвердження зразка).

 

Параметр	символ	Хв.	Тип	Макс.	одиниця
Потужність насичення	Пс	3	-	-	дБм
Прямий струм	Якщо	-	-	10	мА
Реверсивна напруга	Вр	-	5	15	V
Робоча температура корпусу	Топ	-40	-	85	ступінь
Температура зберігання	Tstg	-40	-	85	ступінь
Пайка свинцю (температура/час)	-	-	260/10	-	ступеня /розд

 

Параметр	символ	Хв.	Тип	Макс.	одиниця	Тестовий стан
Робоча довжина хвилі	λ	1100	-	1650	нм
Чуйність	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310нм
Темна течія	ID	-	0.2	1	nA	Vr=5V
Ємність	C	-	-	0.25	пФ	Vr=5V,f=1MHz,корпус відкритий
Пропускна здатність	Bw	10	-	-	ГГц	Vr=5V,50 навантаження з довжиною проводу=6мм, корпус відкритий
Зворотні оптичні втрати	RL	35	-	-	дБ	λ=1310нм

 

Популярні Мітки: 32μm 10g ingaas фотодіод to46, Китай 32μm 10g ingaas фотодіод to46 виробники, постачальники, фабрика